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RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF7S18170HR3 MRF7S18170HSR3
ALTERNATIVE PEAK TUNE LOAD PULL CHARACTERISTICS
44
60
33
P3dB = 53.8 dBm (240 W)
Pin, INPUT POWER (dBm)
VDD
=28Vdc,IDQ
= 1400 mA
Pulsed CW, 12
μsec(on),
10% Duty Cycle, f = 1840 MHz
56
54
52
50
34 3635 3837 4139
40 42 43
Actual
Ideal
57
P1dB = 52.8 dBm (190 W)55
51
53
32
P
out
, OUTPUT POWER (dBm)
NOTE: Measured in a Peak Tuned Load Pull Fixture
58
59
P6dB = 54.1 dBm (257 W)
Test Impedances per Compression Level
Zsource
?
Zload
?
3dB
1.23 -- j7.91
0.88 -- j2.81
Figure 18. Pulsed CW Output Power
versus Input Power
44
61
33
P3dB = 54.65 dBm (290 W)
Pin, INPUT POWER (dBm)
VDD
=32Vdc,IDQ
= 1400 mA
Pulsed CW, 12
μsec(on),
10% Duty Cycle, f = 1840 MHz
57
55
53
51
34 3635 3837 4139
40 42 43
Actual
Ideal
58
56
52
54
32
P
out
, OUTPUT POWER (dBm)
NOTE: Measured in a Peak Tuned Load Pull Fixture
59
60
P6dB = 55 dBm (316.23 W)
P1dB = 54.05 dBm
(254.1 W)
Test Impedances per Compression Level
Zsource
?
Zload
?
P3dB
1.23 -- j7.91
1.03 -- j2.65
Figure 19. Pulsed CW Output Power
versus Input Power
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